HGT1S10N120BNST
 

Описание

HGT1S10N120BNST

БТИЗ транзистор, 35 А, 2.45 В, 298 Вт, 1.2 кВ, TO-263AB, 3 вывод(-ов)

  • Производитель: ONSEMI

Техническая спецификация